| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | 45.0 V |
| 额定电流 | 100 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 225 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 45 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.1A |
| 最小电流放大倍数 | 200 @2mA, 5V |
| 额定功率(Max) | 225 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape |
| 长度 | 2.9 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 0.94 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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Fairchild（飞兆/仙童）
NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR BC850CLT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 800 hFE
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR BC850BLT1G 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 200 hFE
Nexperia（安世）
Nexperia BC850C,215 , NPN 晶体管, 100 mA, Vce=45 V, HFE:420, 100 MHz, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
Nexperia（安世）
单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 200 hFE
Nexperia（安世）
Nexperia BC850CW,115 , NPN 晶体管, 100 mA, Vce=45 V, HFE:420, 100 MHz, 3引脚 UMT封装
NXP（恩智浦）
NXP BC850C,215 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 420 hFE
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