Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > ON Semiconductor（安森美） > BC856BWT1G Datasheet 文档
BC856BWT1G
来自 AiPCBA

BC856BWT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:SC-70-3
描述:ON SEMICONDUCTOR  BC856BWT1G  单晶体管 双极, PNP, -65 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 150 hFE
PDF文件:BC856BWT1G 数据手册 (6 页)封装尺寸在6 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
BC856BWT1G 数据手册 (6 页)
查看文档
或点击图片查看大图

BC856BWT1G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
频率100 MHz
引脚数3 Pin
额定电压(DC)-65.0 V
额定电流-100 mA
封装SC-70-3
针脚数3 Position
极性PNP
功耗150 mW
击穿电压(集电极-发射极)65 V
集电极最大允许电流0.1A
最小电流放大倍数220 @2mA, 5V
额定功率(Max)150 mW
直流电流增益(hFE)150
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)150 mW
查看数据手册 >

BC856BWT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
长度2.2 mm
宽度1.35 mm
高度0.9 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >

BC856BWT1G 数据手册

BC856BWT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
6 页 / 0.07 MByte
BC856BWT1G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
11 页 / 0.1 MByte
BC856BWT1G 产品修订记录
ON Semiconductor（安森美）
13 页 / 0.11 MByte

BC856BWT1 数据手册

BC856BWT1 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
通用晶体管（ PNP硅） General Purpose Transistors(PNP Silicon)
BC856BWT1 数据手册
Motorola（摩托罗拉）
BC856BWT1 数据手册
NXP（恩智浦）
BC856BWT1 数据手册
Leshan Radio（乐山无线电）
BC856BWT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR  BC856BWT1G  单晶体管 双极, PNP, -65 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 150 hFE
BC856BWT1G 数据手册
Leshan Radio（乐山无线电）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet