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BC857CDW1T1G
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BC857CDW1T1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:SC-70-6
描述:ON SEMICONDUCTOR  BC857CDW1T1G  单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -45 V, 100 MHz, 380 mW, -100 mA, 270 hFE
PDF文件:BC857CDW1T1G 数据手册 (7 页)封装尺寸在7 页
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BC857CDW1T1G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
频率100 MHz
引脚数6 Pin
额定电压(DC)-45.0 V
额定电流-100 mA
封装SC-70-6
针脚数6 Position
极性PNP
功耗380 mW
增益频宽积100 MHz
击穿电压(集电极-发射极)45 V
集电极最大允许电流0.1A
最小电流放大倍数420 @2mA, 5V
额定功率(Max)380 mW
直流电流增益(hFE)270
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-50 ℃
工作结温-55℃ ~ 150℃
耗散功率(Max)380 mW
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BC857CDW1T1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度2.2 mm
宽度1.35 mm
高度1.1 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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BC857CDW1T1G 数据手册

BC857CDW1T1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
7 页 / 0.11 MByte
BC857CDW1T1G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
36 页 / 0.15 MByte
BC857CDW1T1G 开发手册
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7 页 / 0.18 MByte

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