| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 频率 | 200 MHz |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 额定电压(DC) | -45.0 V |
| 额定电流 | -200 mA |
| 封装 | SC-70-6 |
| 针脚数 | 6 Position |
| 极性 | PNP |
| 功耗 | 300 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 45 V |
| 最小电流放大倍数 | 125 @2mA, 5V |
| 额定功率(Max) | 300 mW |
| 直流电流增益(hFE) | 125 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 300 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2 mm |
| 宽度 | 1.25 mm |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | -45V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | -200MA/-0.2A 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 200MHZ 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 125~630 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage | -0.65V 耗散功率Pc Power Dissipation | 300MW/0.3W 描述与应用 Description & Applications | PNP型Multi-Chip通用放大器 技术文档PDF下载 | 在线阅读
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ST Microelectronics（意法半导体）
小信号PNP晶体管 SMALL SIGNAL PNP TRANSISTORS
NXP（恩智浦）
PNP通用晶体管 PNP general purpose transistors
Multicomp
MULTICOMP BC857 单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, 125 hFE
Infineon（英飞凌）
PNP硅晶体管自动对焦 PNP Silicon AF Transistors
Nexperia（安世）
小信号 PNP 晶体管，Nexperia### 双极晶体管，Nexperia
Fairchild（飞兆/仙童）
PNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor
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