| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | PNP |
| 功耗 | 250 mW |
| 最小电流放大倍数 | 220 |
| 直流电流增益(hFE) | 220 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 250 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 3 mm |
| 宽度 | 1.4 mm |
| 高度 | 1 mm |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| −30V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −30V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −100mA/-0.1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 220~475 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -250mV/-0.25V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 250mW/0.25W Description & Applications| PNP general purpose transistors FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 65 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification 描述与应用| PNP通用晶体管 特点 •低电流（最大100 mA） •低电压（最大65 V）。 应用 •通用开关和放大。
NXP（恩智浦）
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NXP（恩智浦）
BC858 PNP三极管 -30V -100mA/-0.1A 100MHz 125~800 -250mV/-0.25V SOT-23/SC-59 marking/标记 3M 开关/放大
Infineon（英飞凌）
PNP硅晶体管自动对焦 PNP Silicon AF Transistors
Vishay Semiconductor（威世）
小信号晶体管（ PNP ） Small Signal Transistors (PNP)
Fairchild（飞兆/仙童）
开关和放大器应用 Switching and Amplifier Applications
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
器件 Datasheet 文档搜索
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