| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | -30.0 V |
| 额定电流 | -100 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 极性 | PNP |
| 功耗 | 225 mW |
| 增益频宽积 | 100 MHz |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 30 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.1A |
| 最小电流放大倍数 | 420 @2mA, 5V |
| 额定功率(Max) | 300 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 长度 | 2.9 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 0.94 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| −30V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −30V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −100mA/-0.1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 420~800 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -250mV/-0.25V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| General Purpose Transistors PNP Silicon Features • Pb−Free Packages are Available 描述与应用| 通用晶体管 PNP硅 特点 •无铅包可用
ON Semiconductor（安森美）
7 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor（安森美）
19 页 / 0.26 MByte
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 0.1 MByte
NXP（恩智浦）
BC858 PNP三极管 -30V -100mA/-0.1A 100MHz 125~800 -250mV/-0.25V SOT-23/SC-59 marking/标记 3M 开关/放大
Infineon（英飞凌）
PNP硅晶体管自动对焦 PNP Silicon AF Transistors
Vishay Semiconductor（威世）
小信号晶体管（ PNP ） Small Signal Transistors (PNP)
Fairchild（飞兆/仙童）
开关和放大器应用 Switching and Amplifier Applications
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
器件 Datasheet 文档搜索
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