类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
频率 | 100 MHz |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | SOT-23-3 |
额定功率 | 250 mW |
针脚数 | 3 Position |
极性 | PNP |
功耗 | 250 mW |
击穿电压(集电极-发射极) | 30 V |
集电极最大允许电流 | 0.1A |
最小电流放大倍数 | 220 @2mA, 5V |
最大电流放大倍数 | 220 @2mA, 5V |
额定功率(Max) | 250 mW |
直流电流增益(hFE) | 220 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
耗散功率(Max) | 0.25 W |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 3 mm |
宽度 | 1.4 mm |
高度 | 1 mm |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
NXP(恩智浦)
206 页 / 0.21 MByte
NXP(恩智浦)
72 页 / 3.63 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
开关和放大器应用 Switching and Amplifier Applications
Vishay Semiconductor(威世)
小信号晶体管( PNP ) Small Signal Transistors (PNP)
Nexperia(安世)
BC859 系列 30 V 100 mA 表面贴装 PNP 通用 晶体管 - SOT-23-3
NXP(恩智浦)
PNP 晶体管,NXP### 双极性晶体管,NXP Semiconductors
Nexperia(安世)
小信号 PNP 晶体管,Nexperia### 双极晶体管,Nexperia
Nexperia(安世)
Nexperia BC859CW,115 , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=30 V, HFE:420, 100 MHz, 3引脚 UMT封装
NXP(恩智浦)
NXP BC859C,215 单晶体管 双极, PNP, -30 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, 420 hFE
Infineon(英飞凌)
PNP 晶体管,Infineon### 双极晶体管,Infineon
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