| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-89 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | PNP |
| 功耗 | 500 mW |
| 最小电流放大倍数 | 40 |
| 直流电流增益(hFE) | 85 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1.35 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 长度 | 4.6 mm |
| 宽度 | 2.6 mm |
| 高度 | 1.6 mm |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| −32V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −20V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| -1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 40MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 100~375 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| −500mV/-0.5V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 1.35W Description & Applications| PNP medium power transistor FEATURESFEATURES • High current (max. 1 A) • Low voltage (max. 20 V). APPLICATIONS • Low voltage, high current LF applications. 描述与应用| PNP中等功率晶体管 特点 •高电流（最大1 A） •低电压（最大20 V）。 应用 •低电压，高电流的低频应用
NXP（恩智浦）
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