| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 封装 | SOT-223 |
| 额定功率 | 960 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 80 V |
| 最小电流放大倍数 | 100 @150mA, 2V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 100V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 80V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 130MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 100~250 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 500mV/0.5V 耗散功率PcPower Dissipation| 2W Description & Applications| NPN Silicon AF Transistors • For AF driver and output stages • High collector current • Low collector-emitter saturation voltage • Complementary types: BCP51...BCP53 (PNP) • Pb-free (RoHS compliant) package1) • Qualified according AEC Q101 描述与应用| NPN硅晶体管自动对焦 •对于AF驱动器和输出级 •高集电极电流 •低集电极 - 发射极饱和电压 •互补类型：BCP51 BCP53（PNP） •无铅（符合RoHS）包1） •符合AEC Q101
Infineon（英飞凌）
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