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BCP56T3G
来自 AiPCBA

BCP56T3G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:TO-261-4
描述:ON SEMICONDUCTOR  BCP56T3G  Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 130 MHz, 1.5 W, 1 A, 25 hFE 新
PDF文件:BCP56T3G 数据手册 (5 页)封装尺寸在5 页
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焊盘图
引脚图
产品图
BCP56T3G 数据手册 (5 页)
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BCP56T3G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
频率130 MHz
引脚数4 Pin
额定电压(DC)80.0 V
额定电流1.00 A
封装TO-261-4
针脚数4 Position
极性NPN
功耗1.5 W
击穿电压(集电极-发射极)80 V
集电极最大允许电流1A
最小电流放大倍数40 @150mA, 2V
额定功率(Max)1.5 W
直流电流增益(hFE)25
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)1.5 W
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BCP56T3G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
长度6.5 mm
宽度3.5 mm
高度1.63 mm
工作温度-65℃ ~ 150℃
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BCP56T3G 数据手册

BCP56T3G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.06 MByte
BCP56T3G 其他数据使用手册
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36 页 / 0.15 MByte
BCP56T3G 产品设计图
ON Semiconductor（安森美）
2 页 / 0.06 MByte
BCP56T3G 产品修订记录
ON Semiconductor（安森美）
9 页 / 0.53 MByte

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