| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 频率 | 150 MHz |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 额定电压(DC) | 80.0 V |
| 额定电流 | 1.00 A |
| 封装 | TO-261-4 |
| 额定功率 | 2 W |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 2 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 80 V |
| 集电极最大允许电流 | 1A |
| 最小电流放大倍数 | 40 @150mA, 2V |
| 额定功率(Max) | 2 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Diodes（美台）
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Fairchild（飞兆/仙童）
NPN 晶体管，60V 至 100V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
Infineon（英飞凌）
NPN硅晶体管自动对焦 NPN Silicon AF Transistors
Nexperia（安世）
通用 NPN 晶体管，Nexperia### 双极晶体管，Nexperia
ST Microelectronics（意法半导体）
中功率放大器 MEDIUM POWER AMPLIFIER
Siemens Semiconductor（西门子）
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