类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
额定电压(DC) | -20.0 V |
额定电流 | -1.00 A |
封装 | TO-261-4 |
极性 | PNP |
功耗 | 1.5 W |
增益频宽积 | 60 MHz |
击穿电压(集电极-发射极) | 20 V |
集电极最大允许电流 | 1A |
最小电流放大倍数 | 85 @500mA, 1V |
额定功率(Max) | 1.5 W |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | 65 ℃ |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 6.5 mm |
宽度 | 3.5 mm |
高度 | 1.57 mm |
工作温度 | -65℃ ~ 150℃ (TJ) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| −25V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −20V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| -1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 60MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 85~375 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| −500mV/-0.5V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 1.5W Description & Applications| PNP Silicon Epitaxial Transistor Features • High Current: IC = −1.0 A • The SOT−223 Package can be soldered using wave or reflow. • SOT−223 package ensures level mounting, resulting in improved thermal conduction, and allows visual inspection of soldered joints. The formed leads absorb thermal stress during soldering, eliminating the possibility of damage to the die. • NPN Complement is BCP68 • Pb−Free Package is Available 描述与应用| PNP硅外延晶体管 特点 •高电流:IC=-1.0 A •SOT-223包装可以使用波或回流焊接。 •SOT-223包装保证水平安装,从而提高热传导,并允许目视检查焊点。所形成的线索在焊接热应力吸收,消除模具损坏的可能性。 •NPN补BCP68 •无铅包装是可用
ON Semiconductor(安森美)
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小信号 PNP 晶体管,高达 30V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
NXP(恩智浦)
BCP69 PNP三极管 -32V -1A 40MHz 85~375 -500mV/-0.5V SOT-223/TO-261AA marking/标记 BCP69 开关/放大
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BCP69 单晶体管 双极, PNP, -20 V, 1 W, -1.5 A, 50 hFE
Infineon(英飞凌)
PNP硅晶体管自动对焦 PNP Silicon AF Transistor
Nexperia(安世)
通用 PNP 晶体管,Nexperia### 双极晶体管,Nexperia
CJ(长电科技)
三极管(晶体管) BCP69 SOT-223(8R) 100-250
Siemens Semiconductor(西门子)
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