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BCR08PNH6327XTSA1
来自 AiPCBA

BCR08PNH6327XTSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:双极性晶体管
封装:SOT-363-6
描述:单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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BCR08PNH6327XTSA1 数据手册 (7 页)
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BCR08PNH6327XTSA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
封装SOT-363-6
极性NPN+PNP
功耗0.25 W
击穿电压(集电极-发射极)50 V
集电极最大允许电流100mA
最小电流放大倍数70 @5mA, 5V
额定功率(Max)250 mW
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
增益带宽170 MHz
耗散功率(Max)250 mW
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BCR08PNH6327XTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Last Time Buy
包装方式Tape & Reel (TR)
长度2 mm
宽度1.25 mm
高度0.8 mm
工作温度-65℃ ~ 150℃
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BCR08PNH6327XTSA1 数据手册

BCR08PNH6327XTSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
7 页 / 0.51 MByte
BCR08PNH6327XTSA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
3 页 / 0.36 MByte
BCR08PNH6327XTSA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
34 页 / 0.51 MByte

BCR08PNH6327 数据手册

BCR08PNH6327 数据手册
Infineon（英飞凌）
Infineon### 数字晶体管，Infineon配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
BCR 08PN H6327 数据手册
Infineon（英飞凌）
双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR
BCR08PN H6327 数据手册
Infineon（英飞凌）
BCR08PNH6327XTSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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