类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 50.0 V |
额定电流 | 100 mA |
封装 | SOT-23-3 |
极性 | NPN |
功耗 | 0.2 W |
击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
集电极最大允许电流 | 100mA |
最小电流放大倍数 | 70 @5mA, 5V |
额定功率(Max) | 200 mW |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
增益带宽 | 170 MHz |
耗散功率(Max) | 200 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | End of Life |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
工作温度 | -65℃ ~ 150℃ |
晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置) NPN - 预偏压 表面贴装型 SOT-23-3
Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.84 MByte
Infineon(英飞凌)
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Siemens Semiconductor(西门子)
Infineon(英飞凌)
双极晶体管 - 预偏置 NPN Silicon Digital TRANSISTOR
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