| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-323-3 |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 0.25 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
| 集电极最大允许电流 | 100mA |
| 最小电流放大倍数 | 70 @5mA, 5V |
| 额定功率(Max) | 250 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 增益带宽 | 170 MHz |
| 耗散功率(Max) | 250 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Last Time Buy |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -65℃ ~ 150℃ |
晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) NPN - 预偏压 表面贴装型 PG-SOT323-3
Infineon（英飞凌）
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InfineonInfineon 的一系列双极性结点晶体，配有集成电阻器，允许直接从数字来源驱动，无需其他元件。 双电阻器设备具有串行输入电阻器和连接晶体管基座与发射器的电阻器。### 数字晶体管，Infineon配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
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双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR
Infineon（英飞凌）
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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