| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 50.0 V |
| 额定电流 | 100 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 0.2 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
| 集电极最大允许电流 | 100mA |
| 最小电流放大倍数 | 20 @5mA, 5V |
| 额定功率(Max) | 200 mW |
| 直流电流增益(hFE) | 20 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 增益带宽 | 140 MHz |
| 耗散功率(Max) | 200 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.9 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 1 mm |
双电阻器数字晶体管，Infineon
●Infineon 的一系列双极性结点晶体，配有集成电阻器，允许直接从数字来源驱动，无需其他元件。 双电阻器设备具有串行输入电阻器和连接晶体管基座与发射器的电阻器。
Infineon（英飞凌）
8 页 / 0.81 MByte
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
34 页 / 0.66 MByte
Infineon（英飞凌）
双极晶体管 - 预偏置 NPN Silicon Digital TRANSISTOR
Siemens Semiconductor（西门子）
Infineon（英飞凌）
Infineon BCR112E6327HTSA1 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-23封装
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