| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 50.0 V |
| 额定电流 | 100 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 0.2 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
| 集电极最大允许电流 | 100mA |
| 最小电流放大倍数 | 70 @5mA, 5V |
| 额定功率(Max) | 200 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 增益带宽 | 150 MHz |
| 耗散功率(Max) | 200 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | End of Life |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) NPN - 预偏压 表面贴装型 SOT-23-3
Infineon（英飞凌）
11 页 / 0.84 MByte
Infineon（英飞凌）
34 页 / 0.51 MByte
Siemens Semiconductor（西门子）
Infineon（英飞凌）
双极晶体管 - 预偏置 NPN Silicon Digital TRANSISTOR
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