| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | SOT-363-6 |
| 极性 | NPN |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
| 集电极最大允许电流 | 100mA |
| 耗散功率(Max) | 250 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | End of Life |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)| 50V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)| 100mA Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 4.7KΩ/Ohm Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| 47KΩ/Ohm Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio| 0.1 Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 4.7KΩ/Ohm Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| 47KΩ/Ohm Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio| 0.1 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)| 70 截止频率fT Transtion Frequency(fT)| 150MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 250mW/0.25W Description & Applications| Features •NPN Silicon Digital Transistor •Switching circuit, inverter, interface circuit,driver circuit •Built in bias resistor (R1=4.7k , R2=4.7k ) •For 6-PIN packages: two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one package 描述与应用| 特点 •NPN硅数字晶体管 •开关电路，逆变器，接口电路，驱动电路 •内置偏置电阻（R1=4.7K，R2=4.7K） •6-PIN封装：两个（电流）的内部隔离晶体管具有良好的匹配在一个封装中
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
BCR116 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 4.7k 47k SOT-23/SC-59 marking/标记 WG 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路
Siemens Semiconductor（西门子）
Infineon（英飞凌）
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon（英飞凌）
BCR116S NPN+NPN复合带阻尼三极管 50V 100mA 70 250mW/0.25W SOT-363/SC-88/SC70-6 标记WG 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路
Infineon（英飞凌）
BCR116W 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 4.7k 47k SOT-323/SC-70 marking/标记 WG 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路
Infineon（英飞凌）
Infineon### 数字晶体管，Infineon配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
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