| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-363-6 |
| 极性 | PNP |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
| 集电极最大允许电流 | 100mA |
| 耗散功率(Max) | 250 mW |
| 类型 | 描述 |
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| 产品生命周期 | End of Life |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)| -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)| -50V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)| -100mA/-0.1A 基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 10KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| 47KΩ/Ohm 电阻比(R1/R2) Resistance Ratio| 0.21 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)| 70 截止频率fT Transtion Frequency(fT)| 200MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.2W/200mW Description & Applications| Feature • PNP Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Built in bias resistor (R1= 10kΩ , R2= 47kΩ) • For 6-PIN packages: two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one package 描述与应用| 特点 •PNP硅数字晶体管 •开关电路，逆变器，接口电路，驱动电路 •内置偏置电阻（R1=10KΩ，R2=47KΩ） •对于6-PIN封装：2（电流）的内部具有良好的匹配隔离晶体管在一个封装中
Infineon（英飞凌）
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