| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | SOT-323 |
| 额定功率 | 0.25 W |
| 极性 | PNP |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
| 集电极最大允许电流 | 100mA |
| 最小电流放大倍数 | 70 |
| 最大电流放大倍数 | 70 |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | End of Life |
| 长度 | 2.00 mm |
| 宽度 | 1.25 mm |
| 高度 | 0.90 mm |
| 工作温度 | -65℃ ~ 150℃ |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)| -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)| -50V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)| -100mA/-0.1A 基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 10KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| 47KΩ/Ohm 电阻比(R1/R2) Resistance Ratio| 0.21 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)| 70 截止频率fT Transtion Frequency(fT)| 200MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.25W/250mW Description & Applications| Feature • PNP Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Built in bias resistor (R1= 10kΩ , R2= 47kΩ) • For 6-PIN packages: two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one package 描述与应用| 特点 •PNP硅数字晶体管 •开关电路，逆变器，接口电路，驱动电路 •内置偏置电阻（R1=10KΩ，R2=47KΩ） •对于6-PIN封装：2（电流）的内部具有良好的匹配隔离晶体管在一个封装中
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
BCR185 带阻尼PNP三极管 -50V -100mA/-0.1A 70 0.2W/200mW SOT-23/SC-59 标记WN 开关电路，逆变器，接口电路，驱动电路
Siemens Semiconductor（西门子）
Infineon（英飞凌）
Infineon BCR185E6327HTSA1 PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:0.21, 3引脚 SOT-23封装
Infineon（英飞凌）
InfineonInfineon 的一系列双极性结点晶体，配有集成电阻器，允许直接从数字来源驱动，无需其他元件。 双电阻器设备具有串行输入电阻器和连接晶体管基座与发射器的电阻器。### 数字晶体管，Infineon配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
Infineon（英飞凌）
Infineon BCR185SH6327XTSA1 双 PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:0.21, 6引脚
Infineon（英飞凌）
PNP硅晶体管数字 PNP Silicon Digital Transistor
Infineon（英飞凌）
BCR185W 带阻尼PNP三极管 -50V -100mA/-0.1A 70 0.25W/250mW SOT-323/SC-70 标记WN 开关电路，逆变器，接口电路，驱动电路
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