| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | SOT-363 |
| 极性 | NPN+PNP |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
| 集电极最大允许电流 | 100mA |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)| 50V/-50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)| 50V/-50V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)| 100mA/-100mA Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 10KΩ/Ohm Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| 47KΩ/Ohm Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio| 0.21 Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 10KΩ/Ohm Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| 47KΩ/Ohm Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio| 0.21 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)| 70 截止频率fT Transtion Frequency(fT)| 150MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 250mW/0.25W Description & Applications| Features •NPN/PNP Silicon Digital Transistor Array •Switching circuit, inverter, interface circuit,driver circuit •Two (galvanic) internal isolated NPN/PNPTransistors in one package •Built in bias resistor (R1=10k , R2=47k ) 描述与应用| 特点 •NPN / PNP硅数字晶体管阵列 •开关电路，逆变器，接口电路，驱动电路 •（电流）的内部分离NPN/ PNPTransistors在一个包 •内置偏置电阻（R1=10K，R2=47K）
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NPN / PNP硅数字Tansistor阵列（开关电路，逆变器，接口电路，驱动电路） NPN/PNP Silicon Digital Tansistor Array (Switching circuit, inverter, interface circuit, drive circuit)
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Infineon BCR35PNH6327XTSA1 双 NPN + PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:0.21, 6引脚
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NPN / PNP硅数字晶体管阵列 NPN/PNP Silicon Digital Transistor Array
Infineon（英飞凌）
Infineon BCR35PNH6433XTMA1 双 NPN + PNP 数字晶体管, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:0.21, 6引脚
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