| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-363 |
| 极性 | NPN+PNP |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
| 集电极最大允许电流 | 70mA/100mA |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)| 50V/-50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)| 50V/-50V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)| 70mA/-100mA Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 47KΩ/Ohm Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| 47KΩ/Ohm Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio| 1 Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 2.2KΩ/Ohm Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| 47KΩ/Ohm Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio| 0.047 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)| 70 截止频率fT Transtion Frequency(fT)| 100MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 250mW/0.25W Description & Applications| Features •NPN/PNP Silicon Digital Transistor Array •Switching circuit, inverter, interface circuit,driver circuit •Two (galvanic) internal isolated NPN/PNPTransistors in one package •Built in bias resistor NPN: R1= 47k , R2= 47k PNP: R1= 2.2k ,R2= 47k 描述与应用| 特点 •NPN / PNP硅数字晶体管阵列 •开关电路，逆变器，接口电路，驱动电路 •（电流）的内部分离NPN/ PNPTransistors在一个包 •内置偏置电阻 NPN: R1= 47k , R2= 47k PNP: R1= 2.2k , R2= 47k
Infineon（英飞凌）
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NPN / PNP硅数字晶体管阵列 NPN/PNP Silicon Digital Transistor Array
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BCR48PN NPN+PNP复合带阻尼三极管 50V/-50V 70mA/-100mA 70 250mW/0.25W SOT-363/SC-88/SC70-6 标记W1 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路
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单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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Infineon### 数字晶体管，Infineon配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
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1个NPN,1个PNP-预偏置 100mA 70mA 50V
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双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTORS
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