类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 4 Pin |
额定电压(DC) | 60.0 V |
额定电流 | 500 mA |
封装 | SOT-89 |
极性 | NPN |
击穿电压(集电极-发射极) | 60 V |
集电极最大允许电流 | 0.5A |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
增益带宽 | 150 MHz |
耗散功率(Max) | 1000 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Obsolete |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
Infineon(英飞凌)
7 页 / 0.5 MByte
Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.06 MByte
NXP(恩智浦)
BCV49 达林顿NPN 80V 0.5A HEF=2000~10000 SOT89 代码 EG
Infineon(英飞凌)
BCV49 NPN 500mA/0.5A 60V SOT-89/SC-62 markign/标记EG 开关 功率放大
Siemens Semiconductor(西门子)
Diodes(美台)
DIODES INC. BCV49TA 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 60 V, 170 MHz, 1 W, 500 mA, 10000 hFE
Nexperia(安世)
复合晶体管,Nexperia### 双极晶体管,Nexperia
Nexperia(安世)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS DARLINGTON
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