| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 频率 | 250 MHz |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 额定电压(DC) | 30.0 V |
| 额定电流 | 100 mA |
| 封装 | TO-253-4 |
| 针脚数 | 4 Position |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 300 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 30 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.1A |
| 最小电流放大倍数 | 100 |
| 直流电流增益(hFE) | 520 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 300 mW |
| 额定电压 | 30 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 2.9 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 1 mm |
电流反射镜晶体管，Infineon
●使用通用基座连接匹配双 NPN 和 PNP 晶体管，可用作电流反射镜对。
●良好的热耦合和 VBE 配接
●高电流增益
●低集电极-发射极饱和电压
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
Infineon使用通用基座连接匹配双 NPN 和 PNP 晶体管，可用作电流反射镜对。良好的热耦合和 VBE 配接 高电流增益 低集电极-发射极饱和电压 ### 双极晶体管，Infineon
Infineon（英飞凌）
Infineon使用通用基座连接匹配双 NPN 和 PNP 晶体管，可用作电流反射镜对。良好的热耦合和 VBE 配接 高电流增益 低集电极-发射极饱和电压 ### 双极晶体管，Infineon
Infineon（英飞凌）
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Nexperia（安世）
Nexperia BCV61CE6327HTSA1, 双 NPN 晶体管, Vce=30 V, HFE:100, 250 MHz, 4引脚 SOT-143封装
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