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BCV61CE6327HTSA1
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BCV61CE6327HTSA1 技术参数、封装参数

BCV61CE6327HTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

BCV61CE6327HTSA1 数据手册

Nexperia(安世)
7 页 / 0.51 MByte
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BCV61CE6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon使用通用基座连接匹配双 NPN 和 PNP 晶体管,可用作电流反射镜对。良好的热耦合和 VBE 配接 高电流增益 低集电极-发射极饱和电压 ### 双极晶体管,Infineon
Infineon(英飞凌)
Infineon使用通用基座连接匹配双 NPN 和 PNP 晶体管,可用作电流反射镜对。良好的热耦合和 VBE 配接 高电流增益 低集电极-发射极饱和电压 ### 双极晶体管,Infineon
Infineon(英飞凌)
Nexperia(安世)
双极晶体管,Nexperia
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Nexperia(安世)
Nexperia BCV61CE6327HTSA1, 双 NPN 晶体管, Vce=30 V, HFE:100, 250 MHz, 4引脚 SOT-143封装
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