Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > Infineon（英飞凌） > BCV62AE6327HTSA1 Datasheet 文档
BCV62AE6327HTSA1
来自 AiPCBA

BCV62AE6327HTSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:双极性晶体管
封装:TO-253-4
描述:P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
PDF文件:BCV62AE6327HTSA1 数据手册 (7 页)引脚图在1 页Hot
封装尺寸在6 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
BCV62AE6327HTSA1 数据手册 (7 页)
查看文档
或点击图片查看大图

BCV62AE6327HTSA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
频率250 MHz
引脚数4 Pin
额定电压(DC)-30.0 V
额定电流-100 mA
封装TO-253-4
极性PNP
功耗300 mW
击穿电压(集电极-发射极)30 V
集电极最大允许电流0.1A
最小电流放大倍数125 @2mA, 5V
最大电流放大倍数220
额定功率(Max)300 mW
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)300 mW
查看数据手册 >

BCV62AE6327HTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
长度2.9 mm
宽度1.3 mm
高度1 mm
工作温度150℃ (TJ)
查看数据手册 >

BCV62AE6327HTSA1 数据手册

BCV62AE6327HTSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
7 页 / 0.51 MByte
BCV62AE6327HTSA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
3 页 / 0.36 MByte
BCV62AE6327HTSA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
34 页 / 0.2 MByte
BCV62AE6327HTSA1 其他参考文件
Infineon（英飞凌）
1 页 / 0.14 MByte

BCV62AE6327 数据手册

BCV62AE6327 数据手册
Infineon（英飞凌）
BCV 62A E6327 数据手册
Infineon（英飞凌）
Infineon使用通用基座连接匹配双 NPN 和 PNP 晶体管，可用作电流反射镜对。良好的热耦合和 VBE 配接 高电流增益 低集电极-发射极饱和电压 ### 双极晶体管，Infineon
BCV62AE6327HTSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: BCV62 数据手册
 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet