类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 4 Pin |
封装 | SOT-143 |
针脚数 | 4 Position |
极性 | PNP |
功耗 | 250 mW |
最小电流放大倍数 | 100 |
直流电流增益(hFE) | 220 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
耗散功率(Max) | 250 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Cut Tape (CT) |
长度 | 3 mm |
宽度 | 1.4 mm |
高度 | 1 mm |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | -30V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | -30V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | -0.1A 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 250MHZ 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 220~475 管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.65V 耗散功率Pc Power Dissipation | 0.3W 描述与应用 Description & Applications | PNP型硅双晶体管 良好的热耦合和VBE匹配 高电流增益 低饱和电压 技术文档PDF下载 | 在线阅读
NXP(恩智浦)
14 页 / 0.14 MByte
NXP(恩智浦)
15 页 / 0.25 MByte
NXP(恩智浦)
PNP通用双晶体管 PNP general purpose double transistor
Infineon(英飞凌)
PNP硅晶体管双 PNP Silicon Double Transistor
Siemens Semiconductor(西门子)
Nexperia(安世)
Nexperia BCV62C,215, 双 PNP 晶体管, 100 mA, Vce=30 V, HFE:100, 100 MHz, 4引脚 SOT-143B封装
Nexperia(安世)
Nexperia BCV62B,215, 双 PNP 晶体管, 100 mA, Vce=30 V, HFE:100, 100 MHz, 4引脚 SOT-143B封装
NXP(恩智浦)
NXP BCV62C,215 双极晶体管阵列, 双PNP, -30 V, 250 mW, -100 mA, 420 hFE, SOT-143B
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件