| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 频率 | 100 MHz |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 额定电流 | 100 mA |
| 封装 | TO-253-4 |
| 针脚数 | 4 Position |
| 极性 | PNP |
| 功耗 | 250 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 30 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.1A |
| 直流电流增益(hFE) | 420 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 250 mW |
| 额定电压 | 30 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | -65℃ ~ 150℃ |
NXP（恩智浦）
14 页 / 0.14 MByte
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206 页 / 0.21 MByte
NXP（恩智浦）
72 页 / 3.63 MByte
NXP（恩智浦）
PNP通用双晶体管 PNP general purpose double transistor
Infineon（英飞凌）
PNP硅晶体管双 PNP Silicon Double Transistor
Siemens Semiconductor（西门子）
Nexperia（安世）
Nexperia BCV62C,215, 双 PNP 晶体管, 100 mA, Vce=30 V, HFE:100, 100 MHz, 4引脚 SOT-143B封装
Nexperia（安世）
Nexperia BCV62B,215, 双 PNP 晶体管, 100 mA, Vce=30 V, HFE:100, 100 MHz, 4引脚 SOT-143B封装
NXP（恩智浦）
NXP BCV62C,215 双极晶体管阵列, 双PNP, -30 V, 250 mW, -100 mA, 420 hFE, SOT-143B
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