集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| −32V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −32V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −100mA/-0.1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 215~500 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -300mV/-0.3V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| General Purpose transistor 描述与应用| 通用晶体管
Motorola（摩托罗拉）
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Motorola（摩托罗拉）
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Motorola（摩托罗拉）
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NXP（恩智浦）
NXP BCW30 单晶体管 双极, 通用, PNP, 32 V, 250 mW, 100 mA, 150 hFE
Fairchild（飞兆/仙童）
PNP通用放大器 PNP General Purpose Amplifier
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
Nexperia（安世）
小信号 PNP 晶体管，Nexperia### 双极晶体管，Nexperia
ST Microelectronics（意法半导体）
小信号PNP晶体管 SMALL SIGNAL PNP TRANSISTORS
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