| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 32.0 V |
| 额定电流 | 100 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 225 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 32 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.1A |
| 最小电流放大倍数 | 200 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 300 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 2.9 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 0.94 mm |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 32V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 32V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 100mA/0.1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 200~450 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 250mV/0.25V 耗散功率PcPower Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| General Purpose Transistors NPN Silicon Features • Pb−Free Package is Available 描述与应用| 通用晶体管NPN硅
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 0.23 MByte
ON Semiconductor（安森美）
6 页 / 0.15 MByte
NXP（恩智浦）
NXP BCW32 单晶体管 双极, 通用, NPN, 32 V, 250 mW, 100 mA, 330 hFE
ON Semiconductor（安森美）
BCW32 NPN三极管 32V 100mA/0.1A 200MHz 200~451 250mV/0.25V SOT-23/SC-59 marking/标记 D2 通用开关和放大
Fairchild（飞兆/仙童）
NPN通用放大器 NPN General Purpose Amplifier
Nexperia（安世）
小信号 NPN 晶体管，Nexperia### 双极晶体管，Nexperia
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
Allegro MicroSystems（急速微电子）
KEC(Korea Electronics)（KEC株式会社）
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