BCW61 数据手册 - Infineon（英飞凌）

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| −32V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −32V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −100mA/-0.1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 250MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 120~630 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| −200mV/-0.2V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 330mW/0.33W Description & Applications| PNP Silicon AF Transistors • For AF input stages and driver applications • High current gain • Low collector-emitter saturation voltage • Low noise between 30 Hz and 15 kHz • Complementary types: BCW60, BCX70 (NPN) • Pb-free (RoHS compliant) package1) • Qualified according AEC Q101 描述与应用| PNP硅晶体管自动对焦 •对于AF输入级和驱动器应用 •高电流增益 •低集电极 - 发射极饱和电压 •低噪音之间30 Hz和15千赫 •互补类型：BCW60，BCX70（NPN） •无铅（符合RoHS）包1） •符合AEC Q101