| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -32.0 V |
| 额定电流 | -100 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 极性 | PNP |
| 功耗 | 0.35 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 32 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.1A |
| 最小电流放大倍数 | 140 @2mA, 5V |
| 最大电流放大倍数 | 310 |
| 额定功率(Max) | 350 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 350 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 0.93 mm |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| −32V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −32V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −100mA/-0.1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 140~310 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| −250mV/-0.25V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| GENERAL PURPOSE TRANSISTOR 描述与应用| 通用晶体管
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
6 页 / 0.15 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
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Infineon（英飞凌）
BCW61 PNP三极管 -32V -100mA/-0.1A 250MHz 120~630 -200mV/-0.2V SOT-23/SC-59 marking/标记 SB1 驱动器
CJ（长电科技）
三极管(晶体管) BCW61 BA SOT-23 120-220
Infineon（英飞凌）
PNP 晶体管，Infineon### 双极晶体管，Infineon
Infineon（英飞凌）
PNP 晶体管，Infineon### 双极晶体管，Infineon
Infineon（英飞凌）
PNP 晶体管，Infineon### 双极晶体管，Infineon
Nexperia（安世）
晶体管 双极-射频, PNP, -32 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, 630 hFE
NXP（恩智浦）
NXP BCW61D 晶体管 双极-射频, PNP, -32 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, 630 hFE 新
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