| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | SOT-23 |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 45 V |
| 最小电流放大倍数 | 100 @100mA, 1V |
| 额定功率(Max) | 330 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 75V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 45V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 800mA/0.8A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 170MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 250~630 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 700mV/0.7V 耗散功率PcPower Dissipation| 330mW/0.33W Description & Applications| NPN Silicon AF Transistor For general AF applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage Complementary types: BCW67, BCW68 (PNP) 描述与应用| NPN硅AF晶体管 高电流增益 低集电极 - 发射极饱和电压 互补类型：BCW67，BCW68（PNP）
Infineon（英飞凌）
2 页 / 0.11 MByte
Infineon（英飞凌）
14 页 / 0.28 MByte
Infineon（英飞凌）
5 页 / 0.05 MByte
Infineon（英飞凌）
BCW66 NPN三极管 75V 800mA/0.8A 170MHz 100~630 700mV/0.7V SOT-23/SC-59 marking/标记 EF 通用放大器
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR BCW66GLT1G 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 800 mA, 160 hFE
ON Semiconductor（安森美）
PNP 晶体管，超过 1A，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BCW66G 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 350 mW, 1 A, 160 hFE
Infineon（英飞凌）
Infineon BCW66KHE6327HTSA1 , NPN 晶体管, 800mA, Vce=45 V, HFE:40, 170 MHz, 3引脚 SOT-23封装
Infineon（英飞凌）
BCW66F NPN三极管 75V 800mA/0.8A 170MHz 250~630 700mV/0.7V SOT-23/SC-59 marking/标记 SEF
Nexperia（安世）
单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 250 mW, 800 mA, 160 hFE
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
