| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 频率 | 100 MHz |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 45.0 V |
| 额定电流 | 1.00 A |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 350 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 45 V |
| 最小电流放大倍数 | 160 @100mA, 1V |
| 最大电流放大倍数 | 400 |
| 额定功率(Max) | 350 mW |
| 直流电流增益(hFE) | 160 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 350 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.9 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 0.93 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 75V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 45V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 160~400 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 700mV/0.7V 耗散功率PcPower Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| NPN General Purpose Amplifier • This device is designed for general purpose amplifier applications at collector currents to 500mA. • Sourced from process 13 描述与应用| NPN通用放大器 •本设备是专为通用放大器应用 集电极电流为500mA。 •来源于过程13
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
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Infineon（英飞凌）
BCW66 NPN三极管 75V 800mA/0.8A 170MHz 100~630 700mV/0.7V SOT-23/SC-59 marking/标记 EF 通用放大器
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR BCW66GLT1G 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 800 mA, 160 hFE
ON Semiconductor（安森美）
PNP 晶体管，超过 1A，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BCW66G 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 350 mW, 1 A, 160 hFE
Infineon（英飞凌）
Infineon BCW66KHE6327HTSA1 , NPN 晶体管, 800mA, Vce=45 V, HFE:40, 170 MHz, 3引脚 SOT-23封装
Infineon（英飞凌）
BCW66F NPN三极管 75V 800mA/0.8A 170MHz 250~630 700mV/0.7V SOT-23/SC-59 marking/标记 SEF
Nexperia（安世）
单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 250 mW, 800 mA, 160 hFE
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