| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 极性 | PNP |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 32 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.8A |
| 耗散功率(Max) | 330 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | End of Life |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -45V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −32V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| -800mA/-0.8A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 200MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 250~630 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| −700mV/-0.7V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 330mW/0.33W Description & Applications| For general AF applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage Complementary types: BCW65, BCW66 (NPN) 描述与应用| 对于一般AF应用 高电流增益 低集电极 - 发射极饱和电压？互补类型：BCW65，BCW66（NPN）
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PNP硅晶体管自动对焦 PNP Silicon AF Transistors
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通用 PNP 晶体管，Infineon### 双极晶体管，Infineon
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BCW67C PNP三极管 -45V -800mA/-0.8A 200MHz 250~630 -700mV/-0.7V SOT-23/SC-59 高电流增益
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Infineon BCW67BE6327HTSA1 , PNP 晶体管, 800mA, Vce=32 V, HFE:35, 200 MHz, 3引脚 SOT-23封装
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