| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | -45.0 V |
| 额定电流 | -800 mA |
| 封装 | SOT-23 |
| 极性 | PNP |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 45 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.8A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −45V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| -800mA/-0.8A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 120~400 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -1.5V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| GENERAL PURPOSE TRANSISTOR 描述与应用| 通用晶体管
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
4 页 / 0.08 MByte
CJ（长电科技）
三极管(晶体管) BCW68 DF SOT-23 100-250
Infineon（英飞凌）
BCW68 PNP三极管 -60V -800mA/-0.8A 200MHz 160~400 -700mV/-0.7V SOT-23/SC-59 marking/标记 DG 高电流增益
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR BCW68GLT1G 单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 225 mW, -800 mA, 60 hFE
Infineon（英飞凌）
通用 PNP 晶体管，Infineon### 双极晶体管，Infineon
ON Semiconductor（安森美）
NPN 晶体管，最大 1A，ON Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管
Diodes（美台）
BCW68H 系列 PNP 0.8 A 45 V 表面贴装 硅 中等功率 晶体管 - SOT-23
Fairchild（飞兆/仙童）
PNP 晶体管，40 至 50V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor BCW68G , PNP 晶体管, 800mA, Vce=45 V, HFE:160, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装
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