类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
频率 | 100 MHz |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | -45.0 V |
额定电流 | -800 mA |
封装 | SOT-23-3 |
针脚数 | 3 Position |
极性 | PNP |
功耗 | 225 mW |
增益频宽积 | 100 MHz |
击穿电压(集电极-发射极) | 45 V |
集电极最大允许电流 | 0.8A |
最小电流放大倍数 | 120 @10mA, 1V |
额定功率(Max) | 225 mW |
直流电流增益(hFE) | 60 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 300 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
材质 | Silicon |
长度 | 3.04 mm |
宽度 | 2.64 mm |
高度 | 1.01 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
通用 NPN 晶体管,最大 1A,ON Semiconductor
●### 标准
●带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
●### 双极性晶体管,On Semiconductor
●ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:
●小信号晶体管
●功率晶体管
●双晶体管
●复合晶体管对
●高电压晶体管
●射频晶体管
●双极/FET 晶体管
ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
通用晶体管( PNP硅) General Purpose Transistors(PNP Silicon)
Leshan Radio(乐山无线电)
BCW68GLT1 PNP三极管 -60V -800mA/-0.8A 100MHz 120~400 -1.5V SOT-23/SC-59 marking/标记 DG
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR BCW68GLT1G 单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 225 mW, -800 mA, 60 hFE
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