| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | 45.0 V |
| 额定电流 | 100 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 225 mW |
| 增益频宽积 | 300 MHz |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 45 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.1A |
| 最小电流放大倍数 | 200 @2mA, 5V |
| 额定功率(Max) | 300 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.9 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 0.94 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 45V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 100mA/0.1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 300MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 200~450 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 210mV/0.21V 耗散功率PcPower Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| Features • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 描述与应用| 特点 •这些器件是无铅，无卤素，无BFR，并符合RoHS
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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NXP（恩智浦）
NXP BCW72 单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 150 hFE
Multicomp
MULTICOMP BCW72 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 250 mW, 100 mA, 150 hFE
Nexperia（安世）
小信号 NPN 晶体管，Nexperia### 双极晶体管，Nexperia
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
Allegro MicroSystems（急速微电子）
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