| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-23 |
| 极性 | PNP |
| 击穿电压(集电极-发射极) | -45V |
| 集电极最大允许电流 | -0.5A |
| 最小电流放大倍数 | 100 |
| 最大电流放大倍数 | 600 |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 最小包装数量 | 3000 |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −45V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −500mA/-0.5A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 200MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 100~600 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| −620mV/-0.62V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| PNP small signal transistor FEATURES 1) High gain and low saturation voltage. 2) Ideal for small load switching applications. 3) Complements the BCX19. 描述与应用| PNP小信号晶体管 特点 1）高增益，低饱和电压。 2）非常适于小型负载开关应用。 3）补充BCX19
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