类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 45.0 V |
额定电流 | 500 mA |
封装 | SOT-23-3 |
针脚数 | 3 Position |
极性 | NPN |
功耗 | 300 mW |
击穿电压(集电极-发射极) | 45 V |
最小电流放大倍数 | 100 @100mA, 1V |
额定功率(Max) | 300 mW |
直流电流增益(hFE) | 40 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 300 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 2.9 mm |
宽度 | 1.3 mm |
高度 | 0.93 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 45V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 500mA/0.5A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 100~600 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 620mV/0.62V 耗散功率PcPower Dissipation| 250mW/0.25W Description & Applications| NPN Medium Power Transistor • This device is designed for general purpose amplifiers. • Sourced from process 38 描述与应用| NPN中等功率晶体管 这个装置是专为通用放大器。 •来源于过程38
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