类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
频率 | 150 MHz |
引脚数 | 4 Pin |
封装 | SOT-89 |
额定功率 | 1 W |
极性 | PNP |
功耗 | 2 W |
击穿电压(集电极-发射极) | 60 V |
集电极最大允许电流 | 1A |
最小电流放大倍数 | 40 @150mA, 2V |
最大电流放大倍数 | 25 @5mA, 2V |
额定功率(Max) | 1 W |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
耗散功率(Max) | 1000 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
材质 | Silicon |
长度 | 4.50 mm |
宽度 | 2.5 mm |
高度 | 1.50 mm |
工作温度 | -65℃ ~ 150℃ (TJ) |
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 60 V 1 A 150MHz 1 W 表面贴装型 SOT-89-3
Diodes(美台)
7 页 / 0.35 MByte
Diodes(美台)
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Diodes(美台)
7 页 / 0.12 MByte
NXP(恩智浦)
60 V ,1 A PNP中功率晶体管 60 V, 1 A PNP medium power transistors
Infineon(英飞凌)
PNP硅晶体管自动对焦 PNP Silicon AF Transistors
CJ(长电科技)
三极管(晶体管) BCX52 AM SOT-89 PNP,Vceo=-60V,Ic=-1A,HFE=100-250
Siemens Semiconductor(西门子)
Micro Commercial Components(美微科)
ST Microelectronics(意法半导体)
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