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BD159
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BD159 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:TO-126-3
描述:塑料中功率NPN硅晶体管 Plastic Medium Power NPN Silicon Transistor
PDF文件:BD159 数据手册 (3 页)封装尺寸在3 页
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BD159 数据手册 (3 页)
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BD159 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
额定电压(DC)350 V
额定电流500 mA
封装TO-126-3
极性NPN
功耗20 W
击穿电压(集电极-发射极)350 V
集电极最大允许电流0.5A
最小电流放大倍数30
最大电流放大倍数240
额定功率(Max)20 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
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BD159 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Bulk
长度7.74 mm
宽度2.66 mm
高度11.04 mm
工作温度-65℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量500
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BD159 数据手册

BD159 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
3 页 / 0.05 MByte
BD159 产品设计参考手册
ON Semiconductor（安森美）
20 页 / 0.26 MByte
BD159 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
144 页 / 1.03 MByte
BD159 开发手册
ON Semiconductor（安森美）
3 页 / 0.07 MByte
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