Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > ON Semiconductor（安森美） > BD159G Datasheet 文档
BD159G
来自 AiPCBA

BD159G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:TO-126-3
描述:ON SEMICONDUCTOR  BD159G  Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 350 V, 20 W, 500 mA, 30 hFE 新
PDF文件:BD159G 数据手册 (3 页)封装尺寸在3 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
BD159G 数据手册 (3 页)
查看文档
或点击图片查看大图

BD159G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)350 V
额定电流500 mA
封装TO-126-3
针脚数3 Position
极性NPN
功耗20 W
击穿电压(集电极-发射极)350 V
集电极最大允许电流0.5A
最小电流放大倍数30 @50mA, 10V
额定功率(Max)20 W
直流电流增益(hFE)30
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)20000 mW
查看数据手册 >

BD159G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Bulk
材质Silicon
工作温度-65℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >

BD159G 数据手册

BD159G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
3 页 / 0.05 MByte
BD159G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
144 页 / 1.03 MByte
BD159G 产品设计图
ON Semiconductor（安森美）
2 页 / 0.03 MByte
BD159G 开发手册
ON Semiconductor（安森美）
3 页 / 0.07 MByte
BD159G 产品描述及参数
ON Semiconductor（安森美）
1 页 / 0.49 MByte
BD159G 产品修订记录
ON Semiconductor（安森美）
3 页 / 0.1 MByte

BD159 数据手册

BD159 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
塑料中功率NPN硅晶体管 Plastic Medium Power NPN Silicon Transistor
BD159 数据手册
Freescale（飞思卡尔）
BD159 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
低功耗快速开关输出级 Low Power Fast Switching Output Stages
BD159 数据手册
Inchange Semiconductor
BD159 数据手册
Motorola（摩托罗拉）
BD159 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
BD159 数据手册
Samsung（三星）
BD159 数据手册
C&K Components
BD159 数据手册
TT Electronics Resistors
BD159 数据手册
MMD Components
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: BD159 数据手册
 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet