Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > ST Microelectronics（意法半导体） > BD179 Datasheet 文档
BD179
来自 AiPCBA

BD179 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:双极性晶体管
封装:TO-126-3
描述:NPN硅晶体管 NPN SILICON TRANSISTOR
PDF文件:BD179 数据手册 (9 页)封装尺寸在6 页7 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
BD179 数据手册 (9 页)
查看文档
或点击图片查看大图

BD179 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-126-3
功耗30 W
击穿电压(集电极-发射极)80 V
最小电流放大倍数40
最大电流放大倍数250
额定功率(Max)30 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)30000 mW
查看数据手册 >

BD179 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Tube
材质Silicon
长度7.8 mm
宽度2.7 mm
高度10.8 mm
工作温度150℃ (TJ)
查看数据手册 >

BD179 数据手册

BD179 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
9 页 / 0.24 MByte
BD179 其他数据使用手册
ST Microelectronics（意法半导体）
6 页 / 0.15 MByte
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet