类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
频率 | 3 MHz |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 80.0 V |
额定电流 | 3.00 A |
封装 | TO-126-3 |
针脚数 | 3 Position |
极性 | NPN |
功耗 | 30 W |
增益频宽积 | 3 MHz |
击穿电压(集电极-发射极) | 80 V |
集电极最大允许电流 | 3A |
最小电流放大倍数 | 63 @150mA, 2V |
额定功率(Max) | 30 W |
直流电流增益(hFE) | 3 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
耗散功率(Max) | 30000 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Bulk |
材质 | Silicon |
长度 | 7.74 mm |
宽度 | 2.66 mm |
高度 | 11.04 mm |
工作温度 | -65℃ ~ 150℃ (TJ) |
BD179G 是一款80V NPN中等功率硅双极晶体管, 设计用于5至10W音频放大器和驱动器, 互补或准互补电路。
● 对应款式为 BD180
ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
45 页 / 0.56 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.03 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
NPN硅晶体管 NPN SILICON TRANSISTOR
ON Semiconductor(安森美)
功率晶体管NPN硅 POWER TRANSISTORS NPN SILICON
Multicomp
MULTICOMP BD179 单晶体管 双极, 通用, NPN, 80 V, 3 MHz, 30 W, 3 A, 100 hFE
Fairchild(飞兆/仙童)
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