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BD180G
来自 AiPCBA

BD180G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:TO-126-3
描述:ON SEMICONDUCTOR  BD180G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -80 V, 3 MHz, 30 W, 3 A, 40 hFE
PDF文件:BD180G 数据手册 (6 页)封装尺寸在5 页
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焊盘图
引脚图
产品图
BD180G 数据手册 (6 页)
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BD180G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
频率3 MHz
引脚数3 Pin
额定电压(DC)-80.0 V
额定电流-3.00 A
封装TO-126-3
额定功率30 W
针脚数3 Position
极性PNP
功耗30 W
击穿电压(集电极-发射极)80 V
集电极最大允许电流1A
最小电流放大倍数40 @150mA, 2V
最大电流放大倍数250
额定功率(Max)30 W
直流电流增益(hFE)40
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)30000 mW
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BD180G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Bulk
材质Silicon
长度7.74 mm
宽度2.66 mm
高度11.04 mm
工作温度-65℃ ~ 150℃
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BD180G 数据手册

BD180G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
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BD180G 产品设计图
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2 页 / 0.03 MByte

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