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BD438
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BD438 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:双极性晶体管
封装:TO-126-3
描述:STMICROELECTRONICS  BD438.  单晶体管 双极, PNP, 45 V, 36 W, 4 A, 30 hFE
PDF文件:BD438 数据手册 (4 页)原理图在1 页
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焊盘图
引脚图
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BD438 数据手册 (4 页)
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BD438 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
频率3 MHz
引脚数3 Pin
封装TO-126-3
额定功率36 W
针脚数3 Position
极性Dual N-Channel, Dual P-Channel
功耗36 W
击穿电压(集电极-发射极)45 V
最小电流放大倍数30 @10mA, 5V
最大电流放大倍数130
额定功率(Max)36 W
直流电流增益(hFE)130
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)36 W
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BD438 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
材质Silicon
长度7.8 mm
宽度2.7 mm
高度10.8 mm
工作温度150℃ (TJ)
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BD438 数据手册

BD438 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
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