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BD678
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BD678 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:双极性晶体管
封装:TO-126-3
描述:STMICROELECTRONICS  BD678  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 60 V, 40 W, 4 A, 750 hFE
PDF文件:BD678 数据手册 (12 页)封装尺寸在9 页10 页
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BD678 数据手册 (12 页)
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BD678 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)-60.0 V
额定电流-4.00 A
封装TO-126-3
针脚数3 Position
极性P-Channel
功耗40 W
击穿电压(集电极-发射极)60 V
最小电流放大倍数750 @1.5A, 3V
额定功率(Max)40 W
直流电流增益(hFE)750
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)40000 mW
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BD678 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度150℃ (TJ)
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BD678 数据手册

BD678 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
12 页 / 0.36 MByte
BD678 其他数据使用手册
ST Microelectronics（意法半导体）
6 页 / 0.15 MByte
BD678 开发手册
ST Microelectronics（意法半导体）
4 页 / 0.07 MByte
BD678 其他参考文件
ST Microelectronics（意法半导体）
1 页 / 0.13 MByte
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