| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -60.0 V |
| 额定电流 | -4.00 A |
| 封装 | TO-126-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 功耗 | 40 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 60 V |
| 最小电流放大倍数 | 750 @2A, 3V |
| 额定功率(Max) | 40 W |
| 直流电流增益(hFE) | 750 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 40000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 7.8 mm |
| 宽度 | 2.7 mm |
| 高度 | 10.8 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
PNP 复合晶体管，STMicroelectronics
●### 双极晶体管，STMicroelectronics
●STMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管，包括通用、达林顿、功率和高电压设备，采用表面安装和通孔封装。
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS BD678 单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 60 V, 40 W, 4 A, 750 hFE
ON Semiconductor（安森美）
达林顿功率晶体管PNP硅 DARLINGTON POWER TRANSISTORS PNP SILICON
Multicomp
MULTICOMP BD678 单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 60 V, 40 W, 4 A, 750 hFE
National Semiconductor（美国国家半导体）
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