类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | -80.0 V |
额定电流 | -4.00 A |
封装 | TO-126-3 |
无卤素状态 | Halogen Free |
针脚数 | 3 Position |
极性 | PNP |
功耗 | 40 W |
击穿电压(集电极-发射极) | 80 V |
集电极最大允许电流 | 4A |
最小电流放大倍数 | 750 @2A, 3V |
额定功率(Max) | 40 W |
直流电流增益(hFE) | 750 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 40000 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Bulk |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
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ST Microelectronics(意法半导体)
PNP 复合晶体管,STMicroelectronics ### 双极晶体管,STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。
ON Semiconductor(安森美)
达林顿功率晶体管PNP硅 DARLINGTON POWER TRANSISTORS PNP SILICON
Multicomp
MULTICOMP BD680 单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -80 V, 40 W, -4 A, 750 hFE
Infineon(英飞凌)
PNP硅达林顿晶体管 PNP SILICON DARLINGTON TRANSISTORS
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